عملية 350 نانومتر

تصنيع عناصر
أشباه الموصلات

مقاييس الموسفت
(قائمة المقاييس [الإنجليزية])

  • 10 ميكرومتر – 1971
  • 6 ميكرومتر [الإنجليزية] - 1974
  • 3 ميكرومتر – 1977
  • 1.5 ميكرومتر – 1981
  • 1 ميكرومتر – 1984
  • 800 نانومتر – 1987
  • 600 نانومتر – 1990
  • 350 نانومتر – 1993
  • 250 نانومتر – 1996
  • 180 نانومتر [الإنجليزية] - 1999
  • 130 نانومتر [الإنجليزية] - 2001
  • 90 نانومتر [الإنجليزية] - 2003
  • 65 نانومتر [الإنجليزية] - 2005
  • 45 نانومتر [الإنجليزية] - 2007
  • 32 نانومتر [الإنجليزية] - 2009
  • 22 نانومتر [الإنجليزية] - 2012
  • 14 نانومتر [الإنجليزية] - 2014
  • 10 نانومتر [الإنجليزية] - 2016
  • 7 نانومتر [الإنجليزية] - 2018
مستقبلية


  • شعار بوابة بوابة إلكترونيات

عملية 350 نانومتر (بالإنجليزية: 350 nm process )‏ عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1995–1996 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل وآي‌ بي‌ إم.

منتجات تمثل عملية تصنيع عملية 350 نانومتر

  • نتل بنتيوم برو (1995)، بنتيوم (P54CS، 1995)، والثاني بنتيوم الأولي وحدات المعالجة المركزية (1997).

أيه إم دي K5 (1996)، وأيه إم دي K6 الأصلي (النموذجي 6، 1997) وهي وحدات معالجة مركزية.

  • أيقونة بوابةبوابة عقد 1990
  • أيقونة بوابةبوابة تقانة النانو
  • أيقونة بوابةبوابة إلكترونيات
أيقونة بذرة

هذه بذرة مقالة عن التقانة النانوية بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها.